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多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究

Study on the Photoluminescence Spectrum of Nickel Passivation Treatment of Porous Silicon

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【作者】 周国运高卫东徐国定薛清陈兰莉莫育俊

【Author】 Guoyun ZHOU 1,Weidong GAO 2,Guoding XU 2,Qing XUE 1,Lanli CHEN 1 and Yujun MO 2  1Materials Research Center,Nanyang Institute of Science and Technology,473004 Nanyang  2Department of Physics,Henan University,475001 Kaifeng

【机构】 南阳理工学院材料研究中心!473004南阳河南大学物理系!475001开封

【摘要】 报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被Ni替换成SiNix 的结果。

【Abstract】 A new method for electrolysis passivation treatment of porous silicom (PS) in NiCl 2 is reported in this paper.The photoluminescence (PL) spectra of PS treated in different time is observed,the spectra show that peak intensity is 2 5 times stronger than that without treatment,peak wavelength is 33 nm blue shift when PS is treated properly.The phenomenon caused is that the results of the SiH x change into SiNi x when replaced H by Ni on surface of PS.

【关键词】 多孔硅镍钝化光致发光谱
【Key words】 PSNi passivationPL spectrum
【基金】 河南省自然科学基金资助项目
  • 【文献出处】 光谱学与光谱分析 ,Spectroscopy and Spectral Analysis , 编辑部邮箱 ,2001年04期
  • 【分类号】O433.5
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】60
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