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用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能

Properties of PZT Thin Films Prepared by MOD Method for Ferroelectric Memories

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【作者】 林殷茵汤庭鳌黄维宁宋浩然

【Author】 WT5BZ]LIN Yinyin TANG Tingao HUANG Weining SONG Haoran [WT5”BX](Microelectronic Institute, Dept. of Electronic Engineering, Fudan University, Shanghai, 200433, CHN)[WT5HZ]

【机构】 复旦大学电子工程系微电子所!上海200433

【摘要】 采用 MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的 PZT薄膜 ,典型 Pr、Ps、Ec值分别为 2 7μC/ cm2、4 4 μC/ cm2、10 .9k V/ mm,进一步分析表明 ,制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响 ,析晶充分和大晶粒尺寸有利于获得较大的 Pr值

【Abstract】 The MOD method was employed to prepare PZT thin film with pure perovskite phase and good ferroelectric properties. The typical values of Pr、Ps、Ec were 27 μC/cm 2、44 μC/cm 2、10.9 kV/mm respectively. The further analysis indicated that sufficient crystallization and large grain size were benefical to obtain large P r values.

【关键词】 锆钛酸铅薄膜铁电体
【Key words】 PZTthin filmferroelectrics
【基金】 国家自然科学基金项目! (6 9876 0 0 8) ;AM基金项目 ;“86 3”项目资助
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solia State Electronics , 编辑部邮箱 ,2001年02期
  • 【分类号】TP333
  • 【被引频次】6
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