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三沟道BCCD在X光区光电特性的数值模拟

The Numerical Simulation of Photoelectric Characteristic of Three-channel Bulk Charge-coupled Device in the Region of X-ray

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【作者】 王玉新宋敏

【Author】 WANG Yu xin, SONG Min (Department of Physics,Liaoning Normal University,Dalian 116029,China)

【机构】 辽宁师范大学物理系!大连116029

【摘要】 本文对三沟道体电荷耦合器件 (BCCD)在 X光区的光电特性进行了数值模拟。结果表明 ,硅对 X光的吸收曲线决定了硅制的三沟道 BCCD不能在 X光区实现多光谱成像。通过理论分析 ,找出了能保证 BCCD在 X光区工作的衬底材料所应满足的吸收曲线。利用这种新材料制成的三沟道 BCCD,其光敏特性可以分别在 1.8ke V、1.2 ke V和 0 .6 ke V处出现最大值

【Abstract】 In this paper the photoelectric characteristics of the three channel bulk charge coupled device (BCCD) are simulated in the region of X ray.The results show that the silicon three channel BCCD can not realize multi spectral imaging in the region of X ray.Based on the result of theoretical research the absorption coefficient curve of a substrate material has be found,which ensure the three channel BCCD work in the region of X ray.The three channel BCCD made by the new material will have three maxim positions of the spectral photosensitivity at 1.8 keV,1.2 keV and 0.6 keV,respectively.

  • 【文献出处】 光电子·激光 ,Journal of Optoelectronics·Laser , 编辑部邮箱 ,2001年04期
  • 【分类号】TN386.5
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】28
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