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MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析(英文)

XPS and AES Investigation of GaN Films Grown by MBE

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【Author】 YUAN Jin she 1,2, CHEN Guang de 1*, QI Ming 3,LI Ai zhen 3, XU Zhuo 4(1 Department of Applied Physics, Xi′an Jiaotong University, Xi′a n710079, China;2 Department of Applied Physics, Xi′an University of Technology, Xi′an7100 48, China; 3

【机构】西安交通大学应用物理系；中国科学院上海冶金研究所；西安交通大学电子材料研究所陕西西安710049西安理工大学应用物理系；陕西西安710048；陕西西安710049；上海200050；陕西西安710049；

【摘要】用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延 (MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析。发现薄膜实际表面存在O和C吸附层 ,C主要为表面污染 ,而O形成一定的深度分布 ,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质。更多还原

【Abstract】 The surface compos ition of GaN grown by plasma assisted MBE was investigated using XPS and AES,wh ile the depth profile was analyzed by Ar ion sputtering method.On the basis of the results,the thickness of the natural oxide layer was estimated.It was fou nd that the contaminant is not only adsorbed onto the surface but also diffuses in to the bulk to influence on the electrical and optical properties of the fil m.更多还原

【关键词】 GaN； X光电子谱；俄歇电子谱；分子束外延；
【Key words】 GaN； XPS； AES； MBE；

【文献出处】发光学报 ,Chinese Journal of Luminescence , 编辑部邮箱 ,2001年S1期

【分类号】TN304
【下载频次】203

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