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光电双基区晶体管(PDUBAT)物理模型探讨

Discussion on the Physical Model in Photoelectric Dual Base Transistor

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【作者】 郑云光张世林郭维廉李树荣沙亚男毛陆虹

【Author】 ZHENG Yun-guang,ZHANG Shi-lin,GUO Wei-lian,LI Shu-rong,SHA Ya-nan,MAO Lu-h ong (College of Electronic Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072 ,China)

【机构】 天津大学电子信息工程学院!天津300072

【摘要】 本文通过分析器件内部电流传输探讨了光电双基区晶体管 (PDUBAT)负阻特性产生机理 ,首次提出了PDUBAT负阻形成的原因是其输出管横向输出电流的反馈作用 ,这一看法得到了实验验证

【Abstract】 Through analyzing the internal current transport in photoelectric dual-base tra nsistor(PDUBAT),the physical mechanism for the origin of the negative resistance characteristic in the device has been discussed.In this paper,we propose that t he cause for the negative resistance in PDUBAT is coming from the feedback effec t of the lateral component of output current of the vertical transistor in PDUBA T for the first time. This viewpoint has been confirmed by experiment.

【基金】 天津市自然科学基金资助项目 (No 98360 1 4 1 1 )
  • 【文献出处】 电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,2001年08期
  • 【分类号】TN364
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】39
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