再论VSEPR法物理基础及其键角近似计算

【摘要】 价层电子对互斥理论 (简称ＶＳＥＰＲ法 )是美国Ｓｅｄｇｗｉｃｋ和ｐｏｗｅｌｌ[1] 在 1 940年提出 ,后由其他学者逐步完善 ,建立的预测ＡＢｎ 分子或离子的几何构型理论。该理论假定中心原子内层电子是球形对称分布 ,对价层电子的排列无影响 ,仅用介层电子之间的斥力来判定分子的几何造型。由于该法具有简单、直观 ,不需进行复杂的计算就可预测和解释大部分简单分子几何构型的优点 ,在应用上取得很大成功 ,已成为定性处理分子结构问题的有用工具之一。但是 ,对ＶＳＥＰＲ法的一些基本问题 ,诸如对其物理基础尚存在不同看法[2 ] ,运用其物理基础对键角进行近式计算 ,目前尚未见到。本文就此 ,分析ＡＢ更多还原