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FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析
RAMAN AND XPS STUDY ON Ta-C FILMS SYNTHESIZED BY FCVAD
【摘要】 用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .
【Abstract】 Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method. The results of Raman and XPS show that the sp 3 content of the films synthesized at the substrate bias of 80 to 100 V can reach 80%, and there is a low sp 3 content layer on the surface of these films.
【关键词】 Ta-C薄膜；
过滤阴极真空弧沉积；
沉积能量；
sp3键所占比例；
【Key words】 Ta-C films； filtered cathodic vacuum arc deposition； deposition energy； sp 3 content；
【Key words】 Ta-C films； filtered cathodic vacuum arc deposition； deposition energy； sp 3 content；
【基金】 国家“八六三”计划资助项目 ( 863 - 715 - 0 0 8- 0 0 4 0 ) ;中国科学院物理研究所光物理开放实验室资助项目
- 【文献出处】 北京师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Beijing Normal University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,2001年05期
- 【分类号】O484
- 【被引频次】4
- 【下载频次】117