【摘要】 利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击穿电压BVCEO 为 5V ,晶体管的截止频率fT 为13 5GHz。更多还原

【Abstract】 A planar SiGe heterojunction bipolar transistor was fabricated using polysilicon emitter technology and SiGe base grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE).The SiGe HBT ( S e=3?μm×8?μm) has a current gain β of 30 to 50,an emitter collector breakdown voltage BV CEO of 5?V,the maximum cutoff frequency f T of 13.5?GHz at room temperature.更多还原