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LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器

LP-MOVPE Grown Broad-Waveguide Al-Free Active-Region SQW Lasers

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【Author】 LI Zhong hui 1,WANG Xiang wu 2,YANG Jin hua 1 and ZHANG Xing de 1(1 National Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics,Changchun 130022,China) (2 Nanjing Electronic Devices Institute,Nanji

【机构】长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室；南京电子器件研究所新材料中心；长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022；南京210016；长春130022；长春130022；

【摘要】介绍了无铝激光器的优点 ,利用 L P- MOVPE生长出宽波导有源区无铝 SCH- SQW结构激光器 .该结构采用宽带隙 In Ga Al P作限制层 ,加宽的 In Ga P作波导层 ,增加对载流子和光子的限制作用 ,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子易泄漏的缺点 .制作的条宽 10 0 μm、腔长 1mm的激光器 (腔面未镀膜 ) ,激射波长为831nm,室温连续输出光功率达 1W.更多还原

【Abstract】 The advantages of Al free semiconductor lasers are introduced.Broad waveguide Al free active region SCH SQW lasers are grown by LP MOVPE.The lasers with emitting wavelength of 831nm and with the wide stripe of 100μm and the cavitylength of 1mm,the CW output power of 1W is obtained.更多还原

【关键词】金属有机化合物气相外延；宽波导；分别限制；单量子阱；无铝激光器；
【Key words】 MOVPE； broad waveguide； SCH； single quantum well； Al free lasers；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2001年12期

【分类号】TN248
【被引频次】1
【下载频次】51

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