【摘要】 用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (<0 .5 p F) ,保证了器件可以应用于高速率的传输系统 (>10 GHz)更多还原

【Abstract】 An electro absorption modulator is fabricated for optical network system.The strained InGaAs/InAlAs MQW shows improved modulation properties,including polarization independent,high extinction ratio (>40dB) and low capacitance (<0 5pF),with which,an ultra high frequency(>10GHz) can be obtained.更多还原