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SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析

Model and Analyses of Transient Floating-Body Effect of SOI Devices

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【作者】 卜伟海; 黄如; 徐文华; 张兴;

【Author】 BU Wei-hai,HUANG Ru,XU Wen-hua and ZHANG Xing(Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China)

【机构】 北京大学微电子所!北京100871;

【摘要】 针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计 .

【Abstract】 The behavior of transient floating-body effect in SOI MOSFET is simulated.The performance of the device is systematically reviewed by changing the parameters of the device.The influence of the transient floating body on CMOS/SOI circuits is also studied and analyzed,taking a ring oscillator as an example.A device structure is proposed to control the floating-body effect as well as the optimum design of the parameters.

【关键词】 SOI; 浮体效应; 环振;
【Key words】 SOI; floating-body effect; ring oscillator;
【基金】 国家重点基础研究专项基金 ( 2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金 ( No.6 9976 0 0 1)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2001年09期
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】190
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