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CMOS源极跟随缓冲电路

A Novel CMOS Source-Follower Buffer Circuit

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【作者】 余宁梅杨安陈治明高勇

【Author】 YU Ning-mei,YANG An,CHEN Zhi-ming and GAO Yong[KH2D](School of Automation & Information Engineering,Xi’an University of Technology,Xi’an 710048,China)

【机构】 西安理工大学自动化与信息工程学院!西安710048

【摘要】 提出用 CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载 .HSPICE模拟结果表明 ,在负载电容为基本栅电容的 10 0倍及 6 0 0 0倍时 ,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力 ,且占有面积小 .从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题 .该电路结构简单 ,易于实现 ,且制作工艺与标准 CMOS工艺完全兼容 .

【Abstract】 A novel CMOS source-follower buffer circuit is presented,which has a faster drivability for large capacitance loads than the tapered inverter chains,due to the characteristic of the CMOS source follower.When driving the large capacitance that is 100 times/6000 times as high as the original capacitance by an elemental inverter,two-stage combined source-follower/inverter buffer is 15% faster than the faster tapered inverter-chain buffer of eight-stage,with smaller wafer area.This circuit structure is simple and can be realized by the standard CMOS process easily.

【关键词】 源极跟随器缓冲电路CMOS
【Key words】 source-followerbuffer circuitCMOS
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2001年04期
  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】3
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