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GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

Distribution of Carriers in GeSi/Si Multiple Hetero-Epilayers

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【作者】 张秀兰朱文珍黄大定

【Author】 ZHANG Xiu lan,ZHU Wen zhen and HUANG Da ding(Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室!北京100083

【摘要】 通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 ,可靠性高

【Abstract】 A new kind of electrolyte, NH 4F·HF+HCl, with a good electrochemical interface between it and the surface of Ge x Si 1-x alloy has been determined experimentally.With this kind of electrolyte,the vertical distribution of carriers in Ge x Si 1-x multiple hetero epilayers can be measured using an electrochemical C V profiler,which has been proved by the results to be of quite good reproducibility and reliability.

【关键词】 GexSi1-x合金电解液电化学C-V
【Key words】 Ge x Si 1-x alloyelectrolyteelectrochemical C V
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2001年03期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】72
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