节点文献

单场限环的平面高压器件

High voltage planar discrete semiconductor device with single field limiting rings

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 汪德文; 范英杰; 邱海昌;

【Author】 WANG De wen 1,FAN Ying jie 2,QIU Hai chang 1 (1.Shenai Semiconductor CO.,Ltd.,Shenzhen 518029,China) (2.The 13th Electronic Research Institute,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 深圳深爱半导体有限公司; 电子十三所; 深圳深爱半导体有限公司 广东深圳518029; 河北石家庄050051; 广东深圳518029;

【摘要】 通过优化设计和充分利用硅片面积 ,研制出了场限环的平面高压半导体分立器件

【Abstract】 By optimizing designs and take full advantage of silicon’s area,the high voltage planar discrete semiconductor device with single field limiting rings is produced.

【关键词】 击穿电压; 场限环; 钝化;
【Key words】 breakdown voltage; field limiting ring; passivation;
  • 【文献出处】 半导体情报 ,Semiconductor Information , 编辑部邮箱 ,2001年06期
  • 【分类号】TN386.4
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】119
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络