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结型场效应功率晶体管的设计

Design of JFET

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【作者】 纪秀明； 宋哲浩；

【Author】 JI Xiu-ming,SONG Zhe-hao (Semiconductor Company of Changzhou,Changzhou 213000,China)

【机构】 常州半导体厂!江苏常州213000；

【摘要】 介绍了功率 JFET,给出了新的器件结构和设计方法。

【Abstract】 The power JFET is described in this paper.The new structure and design method are also given.

【关键词】 场效应晶体管； 结构； 设计方法；
【Key words】 FET； structure； design method；
  • 【文献出处】 半导体情报 ,Semiconductor Information , 编辑部邮箱 ,2001年04期
  • 【分类号】TN323.4
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】161
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