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Si/Si1-xGex HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系
Relation of heterojunction structure of Si/Si1-xGex HEMT and 2DEG density
【摘要】 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 K.Ismail器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了器件 2 DEG的 ns。
【Abstract】 The principle and method of designing n Si/Si 1- x Ge x HEMT heterojunction from the lattice match and the energy band discontinuity points has discussed in this paper,the HEMT repor ted by K.Ismail has analysed,and obtained 2DEG density n s essentially according with the experiment data,final the design of the heterojunction of K.Ismails HEMT is improved to get a higher 2DEG density n s.
【关键词】 半导体异质结；
晶格匹配；
能带阶跃；
结构设计；
二维电子气密度；
【Key words】 semiconductor heterojunction； lattice match； energy band discontinuity； structure design； 2DEG density；
【Key words】 semiconductor heterojunction； lattice match； energy band discontinuity； structure design； 2DEG density；
- 【文献出处】 半导体情报 ,Semiconductor Information , 编辑部邮箱 ,2001年02期
- 【分类号】TN32
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