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基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发
New application and development of the magnetic random access memory based on the GMR and TMR effect
【摘要】 介绍了巨磁电阻（ＧＭＲ）及隧道磁电阻（ＴＭＲ）效应，讨论了计算机磁随机存储器（ＭＲＡＭ）的最新应用开发。
【Abstract】 This paper introduces the giant (GMR) and tunneling (TMR) magnetoresistive effect. The recent application and development of the magnetic random access memory (MRAM) for computer are discussed also.
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2001年06期
- 【分类号】TP333.3
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