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Si基的RICBD法生长GaN薄膜
GaN Films Grown by RICBD on Si Substrate
【摘要】 讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。
【Abstract】 The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.With double-flow method and ZnO buffer layer technique, GaN films on Si substrate are fabricated. Analysis and measurement by XPS,XRD and PL have shown that the GaN films are relatively perfect.
【关键词】 反应离化团簇束沉积；
GaN薄膜；
缓冲层；
【Key words】 reactive ionized cluster beam deposition； GaN films； buffer layer?；
【Key words】 reactive ionized cluster beam deposition； GaN films； buffer layer?；
【基金】 国家自然科学基金!资助项目 (19775 0 36 )
- 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2001年01期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】3
- 【下载频次】66