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半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性

The Correlation between Electrical Noise and Non-radiative Current of Semiconductor Lasers

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【Author】 HU Gui jun, SHI Jia wei, ZHANG Shu mei, ZHANG Feng gang, LI Hong yan (National Integrated Optoelectronics Lab., Dept. of Electronic Engineering, Jilin University, Changchun 130023, China)$$$$

【机构】吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室!吉林长春130023；

【摘要】测量了 50余只 980nmInGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V -I特性。结果表明 ,小注入情况下 ,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为 1/f特性 ,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。更多还原

【Abstract】 Low-frequency electrical noise and V-I characteristics of 980 nm high-power double quantum well lasers are measured. The results indicate that the low frequency electrical noise of 980 nm semiconductor lasers mainly behaves 1/ f noise and exhibits good relation with surface non-radiative current at low injection.更多还原

【关键词】半导体激光器；高功率；电噪声；非辐射电流；
【Key words】 semiconductor lasers； high-power； electrical noise； non-radiative curr；

【基金】教育部高等学校国家重点实验室访问学者基金项目;华为科技基金资助项目

【文献出处】半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2001年01期

【分类号】TN248.4
【被引频次】15
【下载频次】96

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