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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

State of Art Ⅲ-Ⅴs Semiconductor Crystal Materials

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【作者】 郑安生钱嘉裕韩庆斌邓志杰

【Author】 Zheng Ansheng,Qian Jiayu,Han Qingbin and Deng Zhijie (General Research Institute for Nonferrous Metals,Beijing 100088,China)

【机构】 北京有色金属研究总院!北京100088

【摘要】 介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。

【Abstract】 The growth technologies for Ⅲ Ⅴs semiconductor crystal including LEC,VCZ,VGF/VB and HB were reviewed.The thermal transfer characteristics in growth system and stoichiometry in melt and crystal must be investigated further in order to grow high quality crystals with larger diameter.Nowadays,the annual yield and output value of Ⅲ Ⅴs semiconductor crystals is about 80 t and 500 M respectively in the world.

【关键词】 Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶生长位错
【Key words】 s semicenductorCrystal growthDislocation
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,2000年05期
  • 【分类号】TQ13
  • 【被引频次】2
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