节点文献
硅单晶材料发展动态
Development and Tendency of Silicon Crystal Material
【摘要】 概述了现代特大规模集成电路对硅单晶片的质量要求、直拉硅单晶生长工艺及晶片加工技术研究进展和硅单晶材料市场现状及发展趋势。
【Abstract】 The quality requirements on Si wafer for modern ULSI,research progress on CZ Si crystal growth technology and wafer processing,the market situation and prospect were outlined.
【关键词】 直拉单晶；
缺陷；
完美硅；
快速拉制；
晶片加工；
【Key words】 CZ technology； Perfect Si； Fast pulled； Defect； Wafer processing；
【Key words】 CZ technology； Perfect Si； Fast pulled； Defect； Wafer processing；
- 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,2000年05期
- 【分类号】F426
- 【被引频次】16
- 【下载频次】605