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InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质
Optical Properties of InGaAs/InP Quantum Well and Wire
【摘要】 采用有效质量理论 6带模型 ,研究量子结构变化对 In0 .53 Ga0 .4 7As/In P量子阱和量子线光学性质的影响 .计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下 ,得到更高的光学增益 ,而且具有光学各向异性 .说明量子线结构比量子阱结构提高了量子激光器光学性能 .
【Abstract】 In the framework of 6 band effecive mass theory, the quantum structure effects on the optical properties of In 0.53Ga 0.47 As/InP quantum wire and quantum well are studied. The results show that optical gain is improved for quantum wire. Optical anisotropy for quantum wire is also found. The results indicate that quantum wire improves the optical properties of laser.
【基金】 福建省自然科学基金资助项目!(E9910 0 5)
- 【文献出处】 厦门大学学报(自然科学版) ,JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE) , 编辑部邮箱 ,2000年02期
- 【分类号】O471.5
- 【被引频次】2
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