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GaN受激喇曼散射谱研究
【摘要】 对GaN样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析 ,其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积 (MOCVD)法和分子束外延 (MBE)法生长的 .观测到了纤锌矿结构GaN的允许模式A1(LO)模和E2 (高 )模 ,同时也观测到了一些禁戒模式 .结果表明 :受激喇曼散射是研究GaN结构的一种有效手段
【关键词】 GaN；
喇曼散射；
金属有机物气相沉积法；
分子束外延法；
【基金】 国家自然科学基金资助项目!(19874049);教育部优秀青年教师基金资助项目
- 【文献出处】 西安交通大学学报 ,JOURNAL OF XI’AN JIAOTONG UNIVERSITY , 编辑部邮箱 ,2000年10期
- 【分类号】TN244
- 【被引频次】1
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