节点文献

SnO₂纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

Fabrication of SnO₂ nano?crystalline?film gate FET gas sensor

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 SUO Hui 1,2 ,XIANG Si?qing 1, RUAN Sheng?ping 1,ZHANG Tong 1,XUBao?kun 1,WANG Li?jun 1 (1 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Jilin University Region, Department of Elecronic Engineering,Jilin University,Changchun,130023,Chi

【机构】吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学分区!长春130023；中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021,吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学分区!长春130023,吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学分区!长春130023,吉林大学电?；

【摘要】利用溶胶凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ,纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作 ,元件的漏电流在乙醇气体中减小 ,掺杂镧以后 ,漏电流变化幅度增大更多还原

【Abstract】 The SnO 2 nanocrystalline film was synthesized by using Sol?Gel method.The film can be etched with chmical etch techmque.Thus SnO 2 nanocrystalline film gate FET gas sensor could be made by tradional Si planar proxess.The Sol?Gel process is campatible with Si planar process.The measurement results show that the gas sensor can work at room temperature.In ethanol gas it’s leaking current decreases更多还原