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第2系列ZrO2（Y2O3）薄膜的慢正电子研究
A STUDY OF NO.2 SERIES ZrO2（Y2O3） THIN FILM BY SLOW POSITRONS BEAM
【摘要】 用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,衬底加热 30 0℃ ,纯Ar气氛下制备的用Y2 O3 稳定的ZrO2 薄膜材料 (简称YSZ薄膜 ) ,发现了YSZ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况 ,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响 .简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的制备方法 .
【Abstract】 The ZrO\-2(Y\-2O\-3) thin film materials are studed by slow positron beam.The ZrO\-2(Y\-2O\-3) thin film materials are made by r f puttering without biasing,heat treatment of liner being at 300℃ in pure Ar atmosphere.We discovered that the defects distribute themselves in different depths of the thin film.The tempearture influences the distrilution of defects in the YSZ thin films.And we discuss briefly the method to make dense and high\|quality YSZ films.
【关键词】 慢正电子束；
ZrO2（Y2O3）薄膜；
表面缺陷；
【Key words】 slow positron beam； ZrO\-2(Y\-2O\-3) thin film； surface defects；
【Key words】 slow positron beam； ZrO\-2(Y\-2O\-3) thin film； surface defects；
- 【文献出处】 物理学报 ,ACTA PHYSICA SINICA , 编辑部邮箱 ,2000年07期
- 【分类号】O484.4
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