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GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象

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【作者】 宁珺； 丁勇； 毛友德； 夏冠群； 赵福川； 赵建龙；

【机构】 合肥工业大学应用物理系半导体器件与微电子专业!合肥； 230009； 中国科学院上海冶金所!上海； 200050； 中国科学院上海冶金；

【摘要】 旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。

【关键词】 旁栅效应； 光敏特征； 迟滞现象； 深能级；
  • 【文献出处】 微电子技术 ,MICROELECTRONIC TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,2000年02期
  • 【分类号】TN43
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