【摘要】 Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器件在空间技术中应用的稳定性 ,由于人造卫星运行所穿透的宇宙范·艾伦辐射带中核辐射主要来自电子束及质子束 ,因此本工作以电子、质子辐照为主研究其引入的深能级缺陷。采用传统的分子束外延 (MBE)方法在GaAs衬底上生长具有量子阱的AlGaAs/GaAs材料 ,包括单量子阱(SQW )和多量子阱 (MQW )样品。用静电加速器对样品进行电子束辐照实验 ,电子束能范围为 0 .4～ 1.8MeV ,注量为 1× 10 13～ 1× 10 16 cm- 2 。用高压倍加器进行质子束辐照 ,质子束能量范围为 2 0～ 130MeV ,注量为 1× 10 11～ 1× 10 14 cm- 2 。为进行深能级瞬态谱 (DLTS)的测量 ,以样品n+ GaAs衬底上的铟作为欧姆接触 ,在样品正面蒸上50 0 μm左右的金点作为肖特基势垒 ,使用IBMPC计算机作为数据采集和处理系统的匈牙利Semitrap公司生产的高灵敏度锁相深能级瞬态谱仪DLS 82F进行DLTS测试 ,测量灵敏度为△C/C～ 10 - 5,测量的温度范围为 77～380K ,采用温度和频率扫描二种途径并通过Arrheninsplots验证有关深能级位置 ,而能级的俘获截面则通过改变样品上所加的脉冲宽度来获得。辐照前后的样品均经过深能级?更多还原