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Ge:KTP晶体生长与性能研究

Study on Growth and Property of Ge:KTP Crystal

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【Author】 GONG Ya jing,?ZHANG Ke cong,?CHANG Xin an,?WANG Xi min,?ZANG He gui,?J IANG Shao lin (Beijing Polytechnic University,Beijing 100022,China)

【机构】北京工业大学!北京100022；

【摘要】采用高温溶液法生长了掺质Ge4+含量不同的Ge :KTP系列晶体。研究了掺质Ge4+离子对KTP溶液性质的影响 ,发现掺质溶液体系更加稳定 ,易于生长出光学质量的单晶。用等离子体发射光谱测定了Ge4+离子在晶体中的含量 ,并计算出Ge4+离子在晶体中的分配系数 ,表明了Ge4+离子较容易进入晶格格位。测定的Ge :KTP晶体的晶胞体积小于纯KTP晶体。测定的光透过曲线与纯KTP晶体的相似 ,Ge :KTP晶体仍保持了较高的光透过率与较宽的透光波段。Ge :KTP晶体的Raman谱与纯KTP晶体的相比有所不同 ,表明Ge4+取代了KTP晶格中P5 +的位置 ,形成了GeO4四面体。激光粉末倍频效应实验表明 ,Ge :KTP晶体的SHG效应随着掺质Ge4+含量的增大有下降的趋势。更多还原

【关键词】 KTP晶体；非线性光学晶体；溶液晶体生长；
【Key words】 Ge:KTP crystal； ?nonlinear optical crystal； ?crystal growth from solution；

【基金】国家自然科学基金;北京市自然科学基金资助项目

【文献出处】人工晶体学报 ,JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS , 编辑部邮箱 ,2000年S1期

【分类号】O78
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