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大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟

Improvement and Numeric Simulation for Heat Zone in Large-diameter Si Single Crystals Furnace

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【作者】 任丙彦刘彩池张志成郝秋艳

【Author】 REN Bing yan,LIU Cai chi,ZHANG Zhi cheng,HAO Qiu yan (Institute of Semiconductor Materials,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) (Received 10 March 2000,accepted 15 June 2000)

【机构】 河北工业大学半导体材料研究所!天津300130

【摘要】 为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分布 ,发现熔体的纵向温度梯度下降 ,熔体热对流减小 ,硅单晶中氧含量降低。

【Abstract】 In order to reduce oxygen content in large diameter Czochralski Si single crystal (CZSi),we have modified the heat zone in 406mm(16in.) system.Thermal convection of melt has been suppressed by our new heat system with composite heater.Distribution of temperature filed was calculated by numeric simulation.The result indicated that axial temperature gradient was decreased due to the decrease of thermal convection in the melt.The concentration of oxygen in CZSi has been reduced.

【基金】 国家自然科学基金资助项目!(6 9876 0 11)
  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【被引频次】26
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