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KTiOAsO4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究

Research on the Ferroelectric Domain and Dislocations in KTiOAsO4 Crystal by Multiple Experiment Methods

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【作者】 牟其善刘希玲李可官文栎程传福马长勤王绪宁路庆明

【Author】 MOU Qi shan 1,LIU Xi ling 1,LI Ke 1,GUAN Wen li 1,CHENG Chuan fu 2, MA Chang qin 3,WANG Xu ning 3,LU Qing ming 3(1.Department of Math and Physics,Shandong Institute of Education,Jinan 250013,China; 2.Department of Physics,Shandong Teacher

【机构】 山东教育学院数理系!济南250013山东师范大学物理系!济南250014山东大学化学院!济南250100

【摘要】 利用原子力显微镜 ,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4 晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息 ,如发现铁电畴的明区要高于暗区 ,且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。

【Abstract】 The defects such as ferroelectric domain and dislocations in KTiOAsO 4 crystal have been researched with atomic force microscope,synchrotron radiation topography and optical microscope.The pictures and quantitative information on ferroelectric domain and etch pits of dislocations in etched KTA crystal surface have been given first time by atomic force microscope.This opens up a new way to study the growth defects in various crystals.

【基金】 山东省自然科学基金资助项目!(Y98A15 0 18);山东大学晶体材料国家实验室资助项目
  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【被引频次】4
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