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利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究

STUDY OF SINGLE EVENT UPSET OF SRAM USING HEAVY IONS PROVIDED BY ACCELERATOR

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【Author】 ZHANG Zheng xuan 1,2 , LI Go zheng 1, LUO Jin sheng 2, CHEN Xiao hua 1 JI Lin 1, WANG Yan ping 1, GONG Ling hua 3 1. Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an,710024; 2. Xi’an Jiaotong University, Xi’an,710049; 3. Beijing Un

【机构】西北核技术研究所!西安69-16信箱710024；西安交通大学微电子所,710049,西北核技术研究所!西安69-16信箱710024,西安交通大学微电子所!710049,西北核技术研究所!西安69-16信箱710024,西北核技术研究所!西安69-16信箱710024,西北核技术研究所!西安69-16信箱710024,北京大学重离子；

【摘要】报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。更多还原

【Abstract】 The experiment and measurement of single event upset of two types of SRAM is reported using heavy ion provided by 2×6MV tandem-accelerator of Beijing university. The SEU cross sections of SRAMs vs linear energy transfer(LET) of ions are given.更多还原

【关键词】串列静电加速器；单粒子效应；静态随机存储器；
【Key words】 tandem accelerator； single event upset； static random access memory；

【基金】国防科技基础研究基金资助课题

【文献出处】强激光与粒子束 ,HIGH POWER LASER & PARTICLE BEAMS , 编辑部邮箱 ,2000年01期

【分类号】TL501
【被引频次】11
【下载频次】151

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