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亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型

A Threshold Voltage Model for Submicrometer Buried-channel pMOSFET

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【作者】 牟有静； 李洪革； 郭继红；

【Author】 MU Youjing, LI Hongge, GUO Jihong College of Information Science and Technology, Liaoning University, Shenyang 110036

【机构】 辽宁大学信息科学与技术学院!辽宁沈阳110036；

【摘要】 亚微米埋沟pMOSFET的阈电压模型 ,该模型考虑了热电子发射等短沟道效应 .只要对模型中的符号作相应改变 ,则可作为nMOSFET的模型

【Abstract】 Short channel effect of hot electron injection was taken into consideration in the threshold voltage model of submicrometer buried channel pMOSFET,so the model can be used as model for nMOSFET if symbols were changed correspondly.

【关键词】 MOSFET； 阈电压；
【Key words】 MOSFET； threshold voltage.；
  • 【文献出处】 辽宁大学学报(自然科学版) ,