节点文献

有限深球方势阱研究Au纳米粒子自组装体系的I-V特性

Simulation of I-V Property of An Nanoparticle Self-assembly System Using Finite Well Potential

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 何红波周继承胡慧芳李义兵

【Author】 He Hongbo; Zhou Jicheng;Hu huifang; Li Yibing (Materials Research Institute, College of Information, Changsha Railway University Changsha 410075 )

【机构】 长沙铁道学院信息学院材料研究所!长沙410075

【摘要】 本文在量子点的球方阱模型基础上,利用转移哈密顿法计算了纳米粒子自组装体系电子的跃迁几率.在此基础上,通过求解电子跃迁的主方程即可得到该体系的隧穿电流与偏压的关系.

【Abstract】 In this paper, the hopping rates of electrons in nanoparticle self-assembly system are computed using transfer Hamiltonian based on the finite well potential model of quantum dots. Then the relation between tunneling current and bias voltage is gotten by the solution of the master equation of electron hopping.

【基金】 国家自然科学基金!(69771011,69890227);霍英东基金
  • 【文献出处】 量子电子学报 ,Chinese Journal of Quantum Electronics , 编辑部邮箱 ,2000年06期
  • 【分类号】TN405
  • 【下载频次】75
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络