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碳在GaN中的形态

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【作者】 陈开茅； 孙文红； 武兰青； 张伯蕊； 乔永平； 吴恩； 朱美栋； 秦国刚；

【机构】 北京大学物理系!北京 100871；

【关键词】 外延层； 退火温度； 半导体材料； 大功率器件； 氮化镓； 霍尔迁移率； GaN； 晶向； 实验事实； 霍尔效应；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 量子电子学报 ,CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,2000年05期
  • 【分类号】TN24
  • 【下载频次】29
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