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遗传算法在单电子器件Ⅰ-V特性的半经典拟合中的应用

The Semiclassical Fitting of the I-V Property of SET using Genetic Algorithm

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【作者】 何红波周继承胡慧芳李义兵

【Author】 He Hongbo;Zhou Jicheng;Hu Huifang;Li Yibing (Materials Research Institute, Changsha RailWay University Changsha 410075 )

【机构】 长沙铁道学院材料研究所!长沙410075

【摘要】 本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合.我们发现该算法的拟会结果效果很好.

【Abstract】 In this paper,the numerical simulation of master equation based on the DBTJ (Double Barrier Tunneling Junctions) of SET (Single Election Transistor) using genetic algorithm are discussed. The numerical fittings are done for the Coulomb staircase of nanoscale particle self-assembly system. We find genetic algorithms are good for the fitting.

【基金】 国家自然科学基金!69890227,69971007;霍英东基金
  • 【文献出处】 量子电子学报 ,CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,2000年01期
  • 【分类号】TN1
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】46
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