GLTGS晶体生长及其热释电性能

【摘要】 根据结构与性能的关系，选择胍基乙酸作为掺质，采用水溶液降温法生长了ＧＬＴＧＳ晶体，发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化．对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量．结果表明，掺质显著地增强了晶体的热释电效应，与纯ＴＧＳ晶体相比，ＧＬＴＧＳ晶体在２０～３０℃的温度范围内，热释电系数增加了４９．３％～５５．８％，品质因子增加了３５．４％～４９．３％．另外，经过测量晶体的电滞回线发现，在相同条件下，ＧＬＴＧＳ晶体的矫顽电场比纯ＴＧＳ晶体约增大一倍，更多还原