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Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

The Preparation and Properties of Ni\|MIC Poly crystalline Si Films at Low Temperatures

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【Author】 LIU Chuan zhen, YANG Bai liang, LI Mu ju, WU Yuan, ZHANG Yu, LIAO Yang ping, WANG Da hai, HUANG Xi min (Changchun Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130021) QIU Fa bin (Department of Electronics Engineering, Jilin Uni

【机构】中国科学院长春物理研究所!长春130021；中?；

【摘要】利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属 Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨更多还原

【Abstract】 Amorphous Silicon (a Si) films were deposited by PECVD and then crystallized by metal induced crystallization (MIC) at 440 ℃. The Ni MIC p Si thin films were characterized by using XRD, Raman, SEM and XPS. The depth profiles of the structure and the chemical component of the films were analyzed, and the crystallization mechanism was discussed.更多还原

【关键词】 Ni金属诱导晶化；多晶硅薄膜；低温制备；退火处理；
【Key words】 metal induced crystallization； poly\|crystalline Si films； preparation at low temperatures； annealing treatment；

【基金】吉林省“九五”重大项目! (批准号 :K Y95 1-Al-5 0 2 );中国科学院“九五”科技公关项目 !(批准号 :970 10 3 -0 1);中国科学院院长

【文献出处】吉林大学自然科学学报 ,ACTA SCIENTIARIUM NATURALIUM UNIVERSITATIS JILINENSIS , 编辑部邮箱 ,2000年03期

【分类号】O484.1
【被引频次】6
【下载频次】121

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