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固态vander WaalsC 60膜晶格的Coulomb膨胀
【摘要】 利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0 薄膜的晶体生长
【关键词】 扫描隧道显微镜；
C60；
Coulomb相互作用；
分子束外延；
电荷转移；
【基金】 国家杰出青年基金!(批准号:6 9625608);日本文部省资助项目!(特别推进项目批准号:1130108102001)
- 【文献出处】 中国科学(A辑) ,Science in China,Ser.A , 编辑部邮箱 ,2000年06期
- 【分类号】O78
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