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冷等离子体对硅-锗纯化的实验研究

An experimental study of Si-Ge purified by cold plasma

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【Author】 TAO Fu ting\+1,WANG Jing yi\+2,FENG Xin hua\+2,TAO Zheng yu\+1, CHENG Wen huei\+1, ZHANG Wei\+1,SU Qing ping\+3,HE Xiao ming\+2 (1 Dept.of Electronic Information & Control Engneering,Guangxi University of Technology,Liouzhou 545006,China;2 De

【机构】广西工学院电子信息与控制工程系!广西柳州545006；华中理工大学电子科学与技术系!湖北武汉430074；广西工学院电子信息与控制工程?；

【摘要】本文通过实验证实了冷等离子体对硅 -锗粉末的纯化作用 ,并探索了放电电流、放电时间、加热温度、反应器内总压力等参数对纯化效果的影响。从而为工业应用打下一定基础更多还原

【Abstract】 The experiments showed that Si-Ge powder can be purified by cold plasma The influence of the parameter of discharge current , treat time , powder temperature and total pressure in a reactor on purity effect was probed in this paper The study will be of help to industry更多还原

【关键词】硅-锗纯化；冷等离子体；表面反应；
【Key words】 Si Ge purity； cold plasma； surface reaction；

【基金】广西自然科学基金资助项目 !:(批准号 :9912 0 0 4)“冷等离子体冶炼硅 -锗合金的研究”

【文献出处】广西工学院学报 ,Journal of Guangxi Institute of Technology , 编辑部邮箱 ,2000年04期

【分类号】TN305
【被引频次】3
【下载频次】45

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