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MEVVA离子源（Si,Er）双注入热氧化SiO₂/Si薄膜近红外光致发光的研究

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【机构】南昌大学材料科学与工程系；北京师范大学低能核物理研究所；南昌大学物理系；北京师范大学低能核物理研究所南昌 330047 北京师范大学低能核物理研究所北京 100875；南昌 330047；北京 100875；北京 100875；

【摘要】利用金属蒸发真空弧（MEVVA）离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO₂/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,稀土元素Er离子掺杂到热氧化SiO₂/Si薄膜中的Er原子浓度百分比达到～10at.％,即Er原子体浓度为～10²¹/cm³。这是高能离子注入所不能达到的,它为稀土Er离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。XPS研究发现,热氧化SiO₂膜厚,溅射保留量多;Er以固溶态存在。在77K下,我们获得了近红外区1540 nm处较强的光致发光。氧离子对Er掺杂热氧化SiO₂/Si薄膜近红外光致发光起了很大作用,发光强度提高了3～5倍。更多还原

【关键词】 MEVVA离子源；掺杂；热氧化；近红外；双注入；

【基金】国家自然科学基金(69766001);江西省自然科学基金(9950024)

【文献出处】国外金属热处理 ,Heat Treament of Metals Abroad , 编辑部邮箱 ,2000年02期

【分类号】TN304.055
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