L波段脉冲输出360W硅功率晶体管

【摘要】 南京电子器件研究所研制成功 L波段脉冲输出 36 0 W硅功率晶体管。该器件在 1 .4GHz、脉宽 2 0 μs、占空比 5 %条件下 ,脉冲输出功率 36 0 W,功率增益 7.8d B,效率大于 5 0 %。L波段大功率器件在雷达、卫星遥测等领域有广泛应用。由于这种器件工作频率高、输出功率大、增益高、工艺难度大 ,给器件研制带来很多困难。南京电子器件研究所在掺砷多晶硅发射极二次镇流结构的基础上 ,开发出超自对准功率管芯片工艺技术 ,使发射区和基区横向间距缩小至 0 .5 μm,发射极周长与基区面积比有较大提高 ,同时也减少了基极电阻。经过近 2年的工艺实践 ,这套超自对准芯片工艺技术显示更多还原