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AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

Photoluminescence of AlGaAsSb/InGaAsSb multiple quantum well

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【Author】 ZHENG Yan－ lan, LI Ai－ zhen, LIN Chun, LI Cun－ cai, HU Jian (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)

【机构】中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所!上海200050；中国科学院信息功能材料国家重点实验室中?；

【摘要】用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。更多还原

【Abstract】 AlGaAsSb/InGaAsSb multiple quantum well material was grown by solid state molecular beam epitaxy (SSMBE). Structural parameters (InGaAsSb well width, AlGaAsSb barrier width, Al fraction in barrier, In fraction in well, well number, etc) were varied to improve the intensity of the photoluminescence.更多还原

【关键词】 AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱； PL强度；激光器；
【Key words】 Multiple Quantum Well (MQW)； Photoluminescence intensity； Laser；

【文献出处】功能材料与器件学报 ,JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES , 编辑部邮箱 ,2000年03期

【分类号】TN24
【被引频次】4
【下载频次】77

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