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1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

Optical characteristics of 1.08μm InAs/GaAs quantum－ dot laser diodes

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【作者】钱家骏；叶小玲；徐波；韩勤；陈涌海；丁鼎；梁基本；刘峰奇；张金福；张秀兰；王占国；

【Author】 QIAN Jia－ jun, YE Xiao－ ling, XU Bo, HAN Qin, CHEN Yong－ hai, DING Ding, LIANG Ji－ ben, LIU Feng－ qi, ZHANG Jin－ fu,ZHANG Xiu－ lan, WANG Zhan－ guo (Semiconductor Materials Science Laboratory, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sc

【机构】中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083；中国科学院半导体研究所半导体材料科学实?；

【摘要】介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88％,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。更多还原

【Abstract】 Optical characteristics of laser diodes fabricated from five InAs quantum－ dot layers grown by MBE technique is described. The devices exhibited a peak power of 2.74W (both faces) at 1.08μ m with threshold current density of Jth=221A/cm2 and external differential quantum efficiency of η D=88％ during room－ temperature continuous－ wave lasing. The life measurements indicate that the device remain output power >1.2W after stably operating over 1000 h at 50oC.更多还原

【关键词】 InAs/GaAs应变自组装量子点材料；量子点激光器；电致发光谱(EL)； MBE外延生长；
【Key words】 Strained self－ organized quantum－ dot materials； Electroluminescence spectra； GaAs； InAs quantum－ dot structure； Quantum dot laser； MBE growth；

【基金】国家自然科学基金项目资助!(69736010);国家863计划新材料领域专家委员会的资助!(No.715－014－0040和235－3A)

【文献出处】功能材料与器件学报 ,JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES , 编辑部邮箱 ,2000年03期

【分类号】TN24
【被引频次】5
【下载频次】111

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