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Ta2N-TiW-An复合导体研究

Study on Ta2N-TiW-An Conductive Multi-Layer

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【作者】 高能武秦跃利陆吟泉孔祥栋

【Author】 GAO Nengwu; QIN Yueli; LU Yinquan; KONG Xiangdong (Southwest China Research institute of Electronic Equipment, Chengdu, 610036,China)

【机构】 西南电子设备研究所!四川成都610036

【摘要】 Ta2 N/TiW/Au是目前国际上普遍采用的耐高温电阻/导带复合结构。对电阻温度系数(TCR)的分析可确定溅射系统的工作点。总泄漏计算和驻留气体分析(RGA)可有效评价溅射气氛,提高TiW/Au的可靠性。通过腐蚀液的比较,确定了合适的各膜层的腐蚀液。

【Abstract】 Ta2 N / TiW / A u is commonly used for thin film hybrid circuits, this kind of resistor barrier and conductor can endure high temperature up to 450 degrees centigrade. The working point can be defined by analyzing thermal coefficient of tantalum nitride resistors. The composition of residual gases in the vacuum chamber can be estimated with residual gases analyzer (RGA) and total leaking rate. This two methods can be used for promoting the reliability of TiW/Au film The suitable etching solution of different layers is defined.

【关键词】 Ta2N/TiW/AuRGA溅射腐蚀
【Key words】 Ta2N/TIW/AuRGAsputteringwet etching
  • 【文献出处】 功能材料 ,JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【分类号】TM241
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