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直接键合硅片的三步亲水处理法及界面电特性

Three Steps Method of Hydrophilicity Treatment on Silicon Wafer Direct Bonding and Bonding Interface Electrical Properties

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【作者】 何进陈星弼王新

【Author】 HE Jin,CHEN Xingbi,WANG Xin (Institute of Microelectronics,University of Electrical Science and Technology,Chengdu,610054,China)

【机构】 电子科技大学微电子所四川成都610054

【摘要】 亲水处理是硅片能否直接键合成功的关键。基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果 ,本文提出了独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合 ,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx 体的生成 ,避免了界面对电输运的势垒障碍 ,结果获得了理想的键合界面

【Abstract】 The successful silicon wafer direct bonding mainly depends on the good hydrophilicity treatment before prebonding.Based on the analysis of micromechanism of hydrophilicity treatment and effect of the different cleaning solution on the silicon surface,the unique three steps method of hydrophilicity treatment has been developed in the paper,which can not only realize successful bonding ,but also avoid the large size amorphous SiO x grown-up which causes the barriers on the electric transport in the bonding interface.As a result, the ideal bonding interface can be obtained by it.

【关键词】 硅片键合亲水处理界面
【Key words】 silicon waferbondinghydrophilicity treatmentinterface
  • 【文献出处】 功能材料 ,JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS , 编辑部邮箱 ,2000年01期
  • 【分类号】TN304.12
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】406
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