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量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性

Preparation and Optical Properties of ZnS/HgS/ZnS/CdS Quantum Dot Quantum Well System

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【作者】 羊亿； 申德振； 张吉英； 杨宝均； 范希武；

【Author】 YANG Yi,SHEN Dezhen,ZHANG Jiying,YANG Baojun,FAN Xiwu (Changchun Institute of Physics, Laboratory of Excited State Processes,Chinese Academy of Science,Changchun,130021,China)

【机构】 中国科学院长春物理所激发态物理开放实验室!吉林长春130021； 中国科学院长春物理所激发态物理?；

【摘要】 运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱 (QDQW )结构 ,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构 ,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响 ,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用 ,并归因于隧道效应 (TunnelingEffect)的存在。

【Abstract】 ZnS/HgS/ZnS/CdS Quantum Dot Quantum Well System was prepared by wet chemical and surface chemical methods for the frist time.The structure was characterized by absorption spectra,PL and PLE spectra.The coated CdS can enhance the PL intensity of HgS.It is caused by tunneling effect.

【关键词】 量子点； 量子阱； 隧道效应；
【Key words】 quantum dot； quantum well； tunneling effect；
【基金】 国家自然科学基金;中国科学院基础研究重点基金 (青年 )资助项目
  • 【文献出处】 功能材料 ,JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS , 编辑部邮箱 ,2000年01期
  • 【分类号】TN304.2
  • 【被引频次】12
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