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铁电存储器及研究进展

The Progress in the Research on Ferroelectric Memories

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【作者】 王华任鸣放

【Author】 Wang Hua 1 , Ren Mingfang 2 (1.Dept. of Communication and Information Engineering,Guilin 541004,China; 2.Dept. of Computing Science and Applied Physics,Guilin 541004,Chian)

【机构】 桂林电子工业学院通信与信息工程系!广西桂林541004桂林电子工业学院计算科学与应用物理系!广西桂林541004

【摘要】 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器 ,以其高密度、高速度、非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。本文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本结构、研究进展、应用及存在的问题等。

【Abstract】 The combination of ferroelectric thin films with integrated semiconductor chips has created the ferroelectric memories.They are superior to all traditional semiconductor memories in their high density,high write/read speed,non volatile and radiation hardness.This paper describes the principles,characteristics,basic configuration,recent progresses,application and the problems to be solved of ferroelectric memories.

【关键词】 铁电薄膜铁电存储器FRAMFFETFDMFDRAM
【Key words】 ferroelectric filmsferroelectric memoriesFRAMFFETFDMFDRAM
【基金】 “九五”国家科技预研项目 !(编号 :3 0 .2 .5 .1)
  • 【文献出处】 桂林电子工业学院学报 ,JOURNAL OF GUILIN INSTITUTE OF ELECTRONIC TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,2000年03期
  • 【分类号】TP333
  • 【被引频次】24
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