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硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
【摘要】 项目批准号 :6 95 76 0 36成果简介 β- Fe Si2 作为一种新型半导体材料 ,具有 Eg=0 .84 - 0 .89e V直接带隙 ,并能在硅表面外延 ,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源 ,探测器等光电器件 ,并进而发展光电器件与 VL SI及 U LSI的集成提供了可能。该研究抓住了硅基光电材料领域中这一兼有应用与理论意义的前沿课题 ,与瑞典皇家理工学院、英国 Surrey大学以及比利时鲁文大学等合作 ,进行了 β- Fe Si2 的制备及性质研究 ,在生长机制、光学性质等方面取得了多方面创新性实验结果 ,在 Physics Review B,Applied Phy
- 【文献出处】 光电子·激光 ,Journal of Optoelectronics.laser , 编辑部邮箱 ,2000年03期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】2
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