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球磨Si50C50混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察
【摘要】 SiC作为一种重要的工业原料,可以利用很多方法制备而成。工业用的SiC通常采用传统的Acheson过程,用碳还原SiO2,温度需达到2000℃～2300℃[1]。文献[2,3]报道了在室温球磨Si50C50混合粉末可获得SiC。但是在这些文献中,所提供的证据均来自于X射线衍射,透射电镜以及扫描电镜等的实验结果,没有提供直观的原子尺度观察,因而对于其微观反应机制的理解缺乏足够的证据。本文报道了室温球磨条件下,球磨硅粉和石墨混合粉末(原子比1∶1)合成SiC。利用高分辨电镜JEOL2010(点分辨率0.19nm),对球磨各阶段Si,C粉末粒子结构的演变及合成的SiC的结构特征,进行了高分辨电镜观察
【基金】 国家自然科学基金资助项目! (5 96 710 31)
- 【文献出处】 电子显微学报 ,JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY , 编辑部邮箱 ,2000年04期
- 【分类号】TN304
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