节点文献

硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究

Characterization of Silicon-based PT/PZT/PT Sandwich Structure

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 任天令张林涛刘理天李志坚

【Author】 REN Tian ling, ZHANG Lin tao, LIU Li tian, LI ZHi jian (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084)

【机构】 清华大学微电子所!北京100084

【摘要】 在已有的以无机锆盐为原料 ,用 Sol- Gel方法制备硅基 Pb(Zr0 .5 3 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜的工艺基础上 ,成功地制备出 Pb Ti O3 / Pb(Zr0 .5 3 Ti0 .47O3 / Pb Ti O3 (PT/ PZT/ PT)夹心式新结构。由于采用了这种夹心式结构 ,使得 PZT铁电薄膜的退火温度由原来的 90 0℃降到了 70 0℃。通过实验检验了新结构的铁电和介电性能。发现夹心结构有助于提高 PZT薄膜的品质。

【Abstract】 A new PbTiO\-3/Pb(Zr\-\{0.53\}Ti\-\{0.47\})O\-3/PbTiO\-3(PT/PZT/PT) sandwich structure is proposed based on Sol Gel method using inorganic zirconium salt as raw material. The annealing temperature is reduced from 900℃ to 700℃. Dielectric and ferroelectric properties are studied, and the new structure is proved to be helpful to the quality of PZT thin films.

【关键词】 夹心结构PZTPTSol-Gel法
【Key words】 sandwich structurePZTPTSol-Gel method
【基金】 国家自然科学基金!( 6 980 6 0 0 7)
  • 【文献出处】 电子器件 ,JOURNAL OF ELECTRON DEVICES , 编辑部邮箱 ,2000年03期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】74
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络